2024年度本项目主要研究于GaN MIS-HEMT器件，利用电阻-晶体管逻辑（Resistor Transistor Logic）模拟电路设计理论、等效电路数值分析、SPICE模拟仿真等手段，研究GaN过流保护电路设计方法与新型拓扑结构，为面向导航终端功率变换应用的GaN集成电路多功能化提供理论与设计支持。针对项目研究内容及进度计划，2024年度本项目在以下方面开展了相关研究工作。
主要研究了从室温(RT)到150°C的短沟道功率p-GaN HEMT的电容-电压特性。首次发现高温下的关态电容明显高于RT下的电容。相关研究发表在IEEE Transactions on Electron Devices期刊上。
